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三星宣布，将与Arm展开合作，提供基于最新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，优化下一代Arm Cortex-X CPU，进一步提高了性能和效率，将用户体验提升到一个新的水平。
三星表示，该计划建立在多年来数百万台搭载Arm CPU知识产权（IP）的数百万台设备的合作基础上，这些芯片采用了三星提供的各种工艺节点。三星确信与Arm之间的一系列公告和计划将奠定创新的基础，双方制定了大胆的计划，为下一代数据中心和基础设施定制芯片提供2nm GAA工艺，以及突破性的人工智能（AI）小芯片解决方案，将彻底改变未来生成人工智能移动计算市场。
三星在2022年6月量产了SF3E（3nm GAA），引入全新的GAA架构晶体管技术。2024年计划带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化，之后还会有性能增强型的SF3P（3GAP+），更适合制造高性能芯片。到了2025年，三星将会开始大规模量产SF2（2nm）工艺。
GAA技术允许在之前的FinFET外进一步扩展器件，通过降低电源电压水平来提高电源效率，并通过更高的驱动电流能力增强性能，采用纳米片结构的GAA实现方法提供了最大的设计灵活性和可扩展性。